مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانو نوارهای گرافینی خمیده

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتمال عبور، رسانش، رسانش کل، قطبش رسانش کل و ضریب فانو را مورد مطالعه قرار دادیم. نتایج ما نشان می¬دهند، با افزایش طول ناحیه¬ی مرزی دامنه¬ی نوسانات رسانش کاهش پیدا می¬کند. هم-چنین به طور هم زمان اندازه¬ی رسانش افزایش می¬یابد. علاوه بر این رفتار ضریب فانو وابستگی شدیدی به طول ناحیه¬ی مرزی دارد. در بخش بعدی مطالعات، با استفاده از محاسبات عددی ترابرد وابسته به اسپین را در گرافین خمیده و نانو نوارهای گرافینی خمیده بررسی کردیم. خمیدگی نانو نوار، به صورت گوسی در نظر گرفته شده است. خمیدگی باعث افزایش برهم کنش اسپین-مدار می¬شود. با اعمال لبه¬ی نرم برای گرافین خمیده مشاهده شد، بدون وجود مواد فرومغناطیس می¬توانیم جریان وابسته به اسپین داشته باشیم. این نتایج می-تواند در طراحی قطعات الکترونیکی با کنترل جریان اسپینی در فناوری نانو کاربرد های مهمی داشته باشد.